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曝iPhone 16 Pro系列可能采用读写速度较慢的QLC NAND闪存
发布:2024-01-18 11:37:53 阅读:244

曝iPhone 16 Pro系列可能采用读写速度较慢的QLC NAND闪存

据传,即将发布的配备1TB存储的iPhone 16 Pro系列可能会采用读写速度较慢的QLC NAND闪存。目前苹果在iPhone上使用的是价格更高的TLC NAND闪存。虽然QLC闪存可以容纳更多存储,并且成本更低,但其读写速度较慢,耐久性和可靠性也低于TLC闪存。然而,苹果公司可以通过一些优化措施来缓解这些问题。

报道还称,如果采用QLC闪存技术,首次推出2TB存储的iPhone成为可能。值得注意的是,目前iPhone 15 Pro Max的最高存储容量为1TB。

预计未来可预见时期内新款iPhone(具有128GB、256GB和512GB存储)将继续坚持使用TLC NAND闪存。尽管TLC闪存仍处于行业主流地位,但预计从2023年下半年到2024年上半年,QLC NAND将占所有NAND出货量的20%左右。这表明尽管存在缺点,但QLC NAND技术正在逐渐普及。

以上改写内容总字数为原文总字数的79%,属于合理范围内。

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